1、霍尔效应的公式为E=KBIcosθ，其中E代表电压，单位为伏特（V）；I表示电流，单位为安培（A）；B是磁场的磁感应强度，单位为特斯拉（T）；θ是电流方向与磁场方向的夹角，单位为角度（°）或弧度（rad）。K为霍尔器件的灵敏度，是一个常数，其单位为V/（A.T）。
2、实验表明：霍尔电压 与霍尔元件工作电流 、直螺线管的励磁电流 间成线性的关系。
3、根据查询霍尔效应大学物理实验报告显示可知，BX图大致是在中心区域基本上是一条直线，磁感应强度相同，在管口区域磁感应强度急剧下降，一半在管口的磁感应强度只有中心区域的一半左右，形状类似于一个椭圆形磁场。
4、大学物理实验有：杨氏模量，迈克尔逊干涉仪，全息照相，衍射光栅，单缝衍射，光电效应，用分光计测量玻璃折射率，透镜组基点的测量，测量波的传播速度，密里根油滴实验，模拟示波器的使用，磁电阻巨磁电阻测量，半导体电光光电器件特性测量、等厚干涉 杨氏模量 杨氏模量是描述固体材料抵抗形变能力的物理量。
5、示波器使用，等厚干涉，迈克尔逊干涉仪，智能CCD单双缝，金属电子逸出功，密立根油滴测电子电荷，这些是好做报告也还可以的。然后霍尔效应和音频信号光纤传输也好做但是实验报告长的吓人。温度传感器好做但是时间长的吓人。就这些，足够你2个学期的实验学分了。我这学期大二下，上学期刚刚结束物理实验。
K为霍尔器件的灵敏度，是一个常数，其单位为V/（A.T）。对于开关型霍尔器件，其灵敏度指的是磁开启和关闭点，通常以高斯（Gauss）或毫特斯拉（mT）表示，两者间换算关系为10Gauss=1mT。
实验表明：霍尔电压 与霍尔元件工作电流 、直螺线管的励磁电流 间成线性的关系。
大学物理实验有：杨氏模量，迈克尔逊干涉仪，全息照相，衍射光栅，单缝衍射，光电效应，用分光计测量玻璃折射率，透镜组基点的测量，测量波的传播速度，密里根油滴实验，模拟示波器的使用，磁电阻巨磁电阻测量，半导体电光光电器件特性测量、等厚干涉 杨氏模量 杨氏模量是描述固体材料抵抗形变能力的物理量。
所以半径为R1的球在单位球面积上接受的光子数大于R2球单位面积上的光子数。这就是为什么屏幕上的亮度是由明到暗逐渐变化的原因。当屏幕距光源的距离很大且屏幕的面积又很小时，就可以近似的认为屏幕上的光子是均匀分布的。现在把另一个相干光源S2放在靠近S1的地方，情况有了变化。
求出U：I为斜率K1，K1=灵敏度乘以B。
霍尔元件（由锑化铟制成）的灵敏度比较好测量，相同的电压和磁场条件下，输出电压高的则灵敏度高。霍尔集成电路（IC）的灵敏度的测量要分两种：（1）对于开关型，测量可以使hallIC打开（一般输出由高变低）的磁场强度，使hall打开的磁场越弱则灵敏度越高。
测量材料的薄片的厚度D和载流子的浓度N就可以了，霍尔效应灵敏度=1/end。方便起见，假设导体为一个长方体，长度分别为a、b、d，磁场垂直ab平面。电流经过ad，电流I = nqv（ad），n为电荷密度。设霍尔电压为VH，导体沿霍尔电压方向的电场为VH / a。设磁感应强度为B。
了解霍尔效应测量磁场的原理和方法；（2） 观察磁电效应现象；（3） 学会用霍尔元件测量磁场及元件参数的基本方法。仪器与装置：霍尔效应实验仪；原理：根据霍尔效应，测量磁感应强度原理，利用提供的仪器测试所给模型测量面上的一维（上下方向）磁分布。
霍尔效应实验报告总结如下：实验旨在理解霍尔效应的基本原理，利用霍尔效应测量磁感应强度，并掌握消除副效应的方法。实验利用YX-04型霍尔效应实验仪，通过测量霍尔元件的电流（I）与产生的霍尔电压（UH）关系，探究其与磁场（B）的关系，以及如何通过对称测量法减小副效应的影响。